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因此，年中二维vdW异质结中的缺陷/陷阱状态是限制光检测性能进一步提高的重要原因。草药这种方法扩展了基于2D材料的光电器件在实际应用中的设计策略。

【成果简介】        由于2D材料具有独特的电子和光电特性，牙膏药牙元包邮因此在基于2D范德华力异质结构的光电探测器中获得了巨大的成功。品牌该成果以题为RepressionofInterlayerRecombinationbyGrapheneGeneratesaSensitiveNanostructured2DvdWHeterostructureBasedPhotodetector发表在Adv.Sci.上。结果表明，芩中高性能的vdW异质结构光电探测器可通过对异质结界面进行纳米级的简单结构操作来实现。

【图文导读】图1.BP/G/InSevdW异质结的结构和传输行为a）BP/G/InSe光电探测器的截面结构示意图 b）设备的AFM图像c）器件的BP，年中G和InSe重叠部分的拉曼光谱d）BP/InSe和BP/G/InSe器件的输出曲线表明，年中插入G后BP/G/InSe的整流方向反向，并且其正向电流增加e）接触前BP，G和InSe的能带图f）BP/G/InSe设备的传递曲线图2.BP/G/InSe异质结中的层间电荷转移a-c）InSe，BP和BP/G/InSe异质结构的瞬态吸收光谱d）从独立的InSe和BP/G/InSe异质结构获得的InSePIA信号的测试和拟合结果e）从单独的BP和BP/G/InSe异质结构获得的BPPIA信号的测试和拟合结果f）BP/G/InSe异质结构中电荷转移的示意图图3.BP/G/InSe设备的光响应性能a）在低照明功率下与波长有关的R和EQE值b）红点：在Vds=1V，Vg=0V时，不同波长的激光照射的D*曲线。深圳大学张晗、草药郭志男纽约州立大学布法罗分校ParasN.Prasad展示了一种纳米异质结构：草药作者在黑磷（BP）和InSe之间插入石墨烯层的纳米界面，该层抑制层间复合并大大提高了光检测性能。

如此高的光电检测性能比当前最先进的2D异质结构器件有了显着进步，牙膏药牙元包邮对于灵敏的光电检测（尤其是IR范围）尤其有希望。

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